Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4466DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4466DY
SI4466DY-T1-GE3 Hakkında
SI4466DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulur. Maksimum 9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj kapasitesi 60nC olarak belirlenmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel uygulamalara uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. Maksimum 1.5W güç tüketimi ile verimliliği artırır. Lojik seviye kontrolü (2.5V ve 4.5V) ile standart mikrodenetleyici çıkışları ile uyumludur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) olduğundan, yeni tasarımlarda modern alternatifler tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok