Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4466DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4466DY
SI4466DY-T1-E3 Hakkında
SI4466DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 9.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 9mΩ maksimum on-resistance (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. 8-SOIC yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlarda kullanılabilir. Gate şarj miktarı (Qg) 60nC olup hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretime alınmamakta olup stok durumu sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok