Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4465ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4465ADY

SI4465ADY-T1-GE3 Hakkında

SI4465ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V Vdss değeri ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 13.7A (Ta) / 20A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 4.5V gate voltajında 9mOhm düşük on-resistance değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetim sistemlerinde ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, aktif üretim durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok