Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4465ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4465ADY
SI4465ADY-T1-E3 Hakkında
SI4465ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu komponent, sürekli 13.7A (Ta) / 20A (Tc) dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 9mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 4.5V'de 85nC olup, düşük gate gerilimi ve hızlı anahtarlama gerektiren güç yönetimi, LED sürücüleri, pil şarj devreleri ve analog anahtarlamalar gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok