Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4463DY

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4463

SI4463DY Hakkında

SI4463DY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile 11.5A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-direnç değerleri (12mOhm @ 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SI4463DY, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4481 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok