Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4463CDY
SI4463CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4463CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 13.6A (Ta) / 49A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8mΩ (10V, 13A) düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motorlu sistemlerde kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 10V ve 2.5V drive voltage seçenekleri ile geniş uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Ta), 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4250 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok