Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4463BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4463
SI4463BDY-T1-E3 Hakkında
SI4463BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ile maksimum 9.8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 11mΩ on-resistance değeri ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç denetimi, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge ve threshold voltajı özellikleriyle hızlı komütasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 13.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok