Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4462
SI4462DY-T1-GE3 Hakkında
SI4462DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.15A sürekli drenaj akımı (Id) ile belirtilmiştir. 480mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10V kapı sürücü geriliminde çalışan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Devre tasarımcılarına düşük kapı yükü (9nC) ile hızlı anahtarlama olanağı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok