Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4462DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4462DY
SI4462DY-T1-E3 Hakkında
SI4462DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.15A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 480mOhm maksimum on-state direnci (Rds) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtar devreler, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve elektronik yük yönetimi sistemlerinde yer alabilir. 4V gate threshold voltajı ile logic-level kontrole uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok