Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4459BDY
SI4459BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4459BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20.5A (Ta) / 27.8A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO surface mount paketinde sunulmaktadır. 4.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 84nC ve input capacitance 3490pF değerleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok