Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4459ADY
SI4459ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4459ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 29A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 5mOhm on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol, güç dönüştürücü, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 3.5W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok