Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4456DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4456DY
SI4456DY-T1-GE3 Hakkında
SI4456DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 33A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Motor kontrolü, güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5670 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok