Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4455DY
SI4455DY-T1-GE3 Hakkında
SI4455DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 295mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate şarj kapasitesi 42nC ve maksimum gate voltajı ±20V'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. SMD montaj özelliği, kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok