Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4453DY
SI4453DY-T1-GE3 Hakkında
SI4453DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ile 10A sürekli drenaj akımında çalışabilen bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Rds(on) değeri 4.5V gate voltajında 6.5mΩ olan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, maksimum 1.5W güç tüketebilir. Vgs threshold voltajı 900mV (600µA'de) olup, ±8V maksimum gate voltajını desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok