Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4451DY-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4451DY

SI4451DY-T1-E3 Hakkında

SI4451DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source voltaj aralığında 10A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.25mOhm @ 4.5V) sayesinde enerji verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4451DY, güç yönetimi, motor kontrol, batarya yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir çözümdür. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu transistör, geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.25mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 850µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok