Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4448DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4448DY
SI4448DY-T1-GE3 Hakkında
SI4448DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. Düşük 1.7mΩ on-state direnci (RDS on) ile ısı kaybını minimize ederken yüksek hızlı komütasyon sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 150nC gate charge ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Ürün obsolete durumda olup yerini yeni revizyonlara bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12350 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok