Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4447DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4447DY
SI4447DY-T1-E3 Hakkında
SI4447DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 72mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI4447DY, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve elektronik cihazların güç denetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 14nC ve hızlı anahtarlama özelliğiyle verimli devre tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 805 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 4.5A, 15V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok