Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4447ADY
SI4447ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4447ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 7.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 45mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 38nC gate yükü ve 970pF input kapasitansı özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve analog anahtarlamada kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok