Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4446DY
SI4446DY-T1-GE3 Hakkında
SI4446DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim yeteneğine ve 3.9A sürekli dren akımına sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç (Rds On) özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir komponenttir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 1.1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge değeri (12 nC) sayesinde yüksek anahtarlama hızlarında etkin performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok