Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4442DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4442DY
SI4442DY-T1-E3 Hakkında
SI4442DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4442DY, hızlı komütasyon ve etkin ısı dağılımı özellikleriyle kompakt tasarımların gerçekleştirilmesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok