Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4436DY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 8A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4436DY

SI4436DY-T1-E3 Hakkında

SI4436DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 36mOhm maksimum on-state direnci (10V Vgs'de) ile verimliliği artırırken ısı kayıplarını minimalize eder. Gate şarj kapasitesi 32nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok