Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4435FDY
SI4435FDY-T1-GE3 Hakkında
SI4435FDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 12.6A sürekli drenaj akımı sağlayan bu komponent, yüksek entegrasyon gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19mOhm (10V, 9A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç yönetimi devreleri, batarya şarj kontrol sistemleri, LED sürücü devreleri ve inversör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok