Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4435
SI4435DYTRPBF Hakkında
SI4435DYTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 20mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve yük kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketebilir. Gate charge karakteristiği (60nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Bilgisayar uygulamaları, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2320 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok