Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4435DY

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4435

SI4435DY Hakkında

SI4435DY, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi ve 8.8A sürekli dren akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mΩ RDS(on) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1604 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok