Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4435
SI4435BDY-T1-E3 Hakkında
SI4435BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 20mOhm (10V, 9.1A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilim toleransı ve 70nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve kontrolü, invertör ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.5W güç tüketimine sahiptir. (Not: Ürün obsolete statusunda olup, yerini daha yeni tasarımlar almıştır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok