Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4434DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4434DY
SI4434DY-T1-GE3 Hakkında
SI4434DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 2.1A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 155mOhm (10V, 3A) RDS(on) değeri ile düşük kayıp performansı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta olup aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok