Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4434ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
SI4434ADY

SI4434ADY-T1-GE3 Hakkında

SI4434ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltajı ve 2.8A (Ta) / 4.1A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle, orta güç uygulamalarında kullanılır. 150mOhm (10V, 2.8A) RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan SI4434ADY, 16.5nC gate charge ve 600pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 125 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok