Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4431DY

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4431

SI4431DY Hakkında

SI4431DY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı ile çalışmaktadır. 32mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uyumluluk sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok