Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4431
SI4431BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4431BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss ve 5.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle çalışan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V Vgs'de 30mOhm maksimum on-resistance değerine sahip olup, güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektronik anahtar devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok