Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4430
SI4430BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4430BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 4.5mΩ maksimum on-state direnci ile düşük geçiş kaybında çalışır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, maksimum 1.6W güç tüketimi ve 36nC gate charge değeri ile güç dönüştürücüler, anahtarlama devreler, motor kontrol uygulamaları ve genel DC anahtar uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok