Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4430BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4430

SI4430BDY-T1-E3 Hakkında

SI4430BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 14A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5mOhm maksimum RDS(on) direnci ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 36nC olup hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok