Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4427BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4427BDY
SI4427BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4427BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ile 9.7A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. RDS(on) değeri 10.5mΩ (10V, 12.6A'da) olup anahtarlama uygulamalarında düşük ısıl kayıplara neden olur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (70nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama gerektiren DC/DC konvertörler, güç yönetimi, motor kontrol ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 12.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok