Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4426DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4426DY

SI4426DY-T1-E3 Hakkında

SI4426DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok