Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4425FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4425FDY
SI4425FDY-T1-GE3 Hakkında
SI4425FDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 12.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısıl kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate şarj (41nC) ve input kapasitanası (1620pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Güç kaynağı kontrol devreleri, ters polarite koruması ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok