Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4425DY

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4425

SI4425DY Hakkında

SI4425DY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 14mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi devreleri, load switching, motor kontrol ve batarya management sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SI4425DY, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir anahtarlama çözümü sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok