Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4425BDY
SI4425BDY-T1-E3 Hakkında
SI4425BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 12mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sunar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç denetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.5W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok