Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4423DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4423DY
SI4423DY-T1-GE3 Hakkında
SI4423DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 7.5mΩ Rds(On) değerine sahip olan bu bileşen, düşük enerji kaybı gerektiren güç yönetimi, motor kontrolü ve ters kutuplama koruması devrelerine uygundur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4423DY, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok