Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4423DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4423DY

SI4423DY-T1-E3 Hakkında

SI4423DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 7.5mOhm on-state direnci (RDS on) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI4423DY, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 175nC gate charge değeri ile hızlı komutasyona imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 600µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok