Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4421DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4421DY

SI4421DY-T1-GE3 Hakkında

SI4421DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8.75mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç anahtarlaması, ışık yönetimi ve batarya yönetim sistemlerinde uygulanır. Gate charge değeri 125nC ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 850µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok