Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4420DYPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
SI4420

SI4420DYPBF Hakkında

SI4420DYPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ve 12.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mΩ on-state direnci (Rds On) ve düşük gate charge (78nC) ile verimli komütasyon sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, solenoid sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer almaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok