Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4420BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4420
SI4420BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4420BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ on-direnç (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve endüstriyel otomasyon, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok