Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4418DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4418DY
SI4418DY-T1-E3 Hakkında
SI4418DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 130mOhm maksimum on-state dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4418DY, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, elektrik yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1.5W maksimum güç tüketimine sahiptir. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok