Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4416DY
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4416
SI4416DY Hakkında
SI4416DY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponentin RDS(on) değeri 10V, 9A koşullarında 18mΩ olarak belirlenmiştir. Gate charge maksimum 20nC @ 5V, input capacitance ise 1340pF @ 15V'dir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen ve -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, 1W maksimum güç tüketimi ile düşük sinyal uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan SI4416DY, kompakt tasarımlarda ve yüksek yoğunluklu PCB'lerde tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok