Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4413DDY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4413DDY
SI4413DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4413DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürme voltajında 5.5mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim direnci özelliğine sahiptir. -55°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlamaktadır. Gate charge değeri 114 nC olup, input kapasitansi 4780 pF'dir. Bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük RDS(ON) değeri sayesinde ısıl kayıpları azaltırken, küçük paket boyutu ise kompakt PCB tasarımlarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4780 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok