Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4413ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4413ADY

SI4413ADY-T1-GE3 Hakkında

SI4413ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ maksimum on-resistance değeriyle düşük kayıp sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörler, yük anahtarlaması ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1.5W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok