Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4413ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4413ADY
SI4413ADY-T1-E3 Hakkında
SI4413ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, pil yönetim sistemlerinde ve load switching uygulamalarında tercih edilir. 95nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok