Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4412ADY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4412ADY

SI4412ADY-T1-E3 Hakkında

SI4412ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 5.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (24mOhm @ 8A, 10V) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 20nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarı devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. Ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok