Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4411DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4411DY
SI4411DY-T1-GE3 Hakkında
SI4411DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesine sahip olup, 25°C sıcaklıkta 9A sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10mOhm on-state direnci (RDS-On) ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Gate şarj değeri 5V'ta 65nC olan bileşen, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Maksimum 1.5W güç tüketimi desteği ile genel amaçlı anahtarlama, güç dağıtım modülleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Vgs(th) değeri 250µA'da 3V'tur. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok