Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4411DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4411DY
SI4411DY-T1-E3 Hakkında
SI4411DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montajlı paket türünde sunulmaktadır. 10mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, gate sürüş voltajında 4.5V-10V aralığında çalışır. Güç dağılım uygulamaları, batarya yönetim sistemleri, anahtarlı güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok