Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4410DYPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
SI4410DY

SI4410DYPBF Hakkında

SI4410DYPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük 13.5mOhm on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Gate charge değeri 45nC olup, hızlı anahtarlama gerekli uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok